FRAM Parallel

MB85R4001A

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产品概述

MB85R4001A 是一种 FRAM (铁电随机存取内存)芯片,由使用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术制造的524,288 × 8 位非易失性存储单元构成。

MB85R4001A 无需备用电池即可保持数据,这正是 SRAM 所需的功能。

MB85R4001A 中使用的存储单元可用于 1010 读 / 写操作,这是对闪存和 E2PROM 支持的读写操作次数的重大改进。

MB85R4001A 採用虚拟静态随机存取 (SRAM) 接口。

特点

• 位配置 :524,288 × 8 位

• 读 / 写耐久性 :1010 次 / 字节

• 数据保持 :10 年 ( + 55 °C), 55 年 ( + 35 °C)

• 工作电源电压 :3.0 V 到 3.6 V

• 低功耗 :工作电源电流 15 mA (典型值) 

                 待机电流 50 μA (典型值)

• 工作环境温度范围 :− 40 °C 到 + 85 °C

• 封装 :48 引脚塑料 TSOP (FPT-48P-M48) 

             均符合 RoHS