FRAM I2C
MB85RC16V
产品概述
与 SRAM 不同， MB85RC16V 无需备用电池即可保持数据。
MB85RC16V 中使用的存储单元至少具有每字节 1012（一万亿）次读 / 写操作的耐久性，次数明显超过其他非易失性 FLASH 等产品。
MB85RC16V 可执行以一字节为一组的写操作。它与 FLASH 和 E2PROM 不同，既不需要很长的写时间，也不需要在写入存储器后的轮询序列。
■ 特点
• 位配置 : 2,048 × 8 位
• 二线串行接口 : 通过两个端口实现完全可控：串行时钟 (SCL) 和串行数据 (SDA)。
• 工作频率 : 1 MHz （最大）
• 读 / 写耐久性 : 1012 （一万亿）次 / 字节
• 数据保持 : 10 年 ( + 85 °C), 95 年 ( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
• 工作电源电压 : 3.0 V 到 5.5 V
• 低功耗 : 工作电源电流 90 μA （1 MHz 下的典型值）
待机电流 5 μA （典型值）
• 工作环境温度范围 : − 40 °C 到 + 85 °C
• 封装 : 8 引脚塑料 SOP (FPT-8P-M02)
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