FRAM SPI(for G.U)
MB85RS256B
产品概述
MB85RS256B 采用串行外设接口 (SPI)。
MB85RS256B 与 SRAM 不同,无需备用电池即可保持数据。
MB85RS256B 中使用的存储单元可用于 1012次读/写操作,它的读/写耐久性大大超过FLASH和E2PROM。
MB85RS256B 不会像 FLASH 或 E2PROM 那样需要很长的数据写入时间,而且 MB85RS256B 不需要等待时间。
■ 特点
• 位配置 :32,768 × 8 位
与 SPI 模式 0 (0, 0) 和模式 3 (1, 1) 通信
• 工作频率 :除 READ 的所有命令 33 MHz (最大)
READ 命令 25 MHz (最大)
• 高耐久性 :1012 (一万亿)次 / 字节
• 数据保持 :10 年 ( + 85 °C), 95 年 ( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
• 工作电源电压 :2.7 V 到 3.6 V
• 低功耗 :工作电流 6 mA (33 MHz 下的典型值)
待机电流 9 μA (典型值)
• 工作环境温度范围 :− 40 °C 到 + 85 °C
• 封装 :8 引脚塑料 SOP (FPT-8P-M02)