FRAM SPI(for G.U)
MB85RS128B
产品概述
MB85RS128B 采用串行外设接口 (SPI)。
MB85RS128B 与 SRAM 不同，无需备用电池即可保持数据。
MB85RS128B 中使用的存储单元可用于 1012次读/写操作，它的读/写耐久性大大超过FLASH和E2PROM。
MB85RS128B 不会像 FLASH 或 E2PROM 那样需要很长的数据写入时间，而且 MB85RS128B 不需要等待时间。
■ 特点
• 串行外围设备接口 ：SPI （串行外设接口）
与 SPI 模式 0 (0, 0) 和模式 3 (1, 1) 通信
• 工作频率 ：除 READ 的所有命令 33 MHz （最大）
READ 命令 25 MHz （最大）
• 高耐久性 ：1012 （一万亿）次 / 字节
• 数据保持 ：10 年 ( + 85 °C), 95 年 ( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
• 工作电源电压 ：2.7 V 到 3.6 V
• 低功耗 ：工作电流 6 mA （33 MHz 下的典型值）
待机电流 9 μA （典型值）
• 工作环境温度范围 ：− 40 °C 到 + 85 °C
• 封装 ：8 引脚塑料 SOP (FPT-8P-M02)
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